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东京科学研究所的研究人员报告称，平面内磁场在EuCd₂Sb₂薄膜中诱导了异常的霍尔效应。通过研究这些场如何改变电子结构，研究小组发现了一个显著的平面内反常霍尔效应。这一发现为控制磁场中的电子输运开辟了新的途径，在磁传感器中具有潜在的应用前景。
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